
SI4943CDY-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SI4943CDY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4943CDY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI4943CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SI4943CDY-T1-GE3 |
Opis | MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 38 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 20V 8A 3,1W Montaż powierzchniowy 8-SOIC |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SI4943CDY-T1-GE3 Modele |
Kategoria | Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 19,2mOhm przy 8,3A, 10V |
Producent Vishay Siliconix | Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA |
Seria | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 62nC przy 10V |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1945pF przy 10V |
Status części Aktywny | Moc - maks. 3,1W |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Temperatura robocza -50°C - 150°C (TJ) |
Konfiguracja 2 kanały P (podwójne) | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego | Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V | Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 8A | Bazowy numer produktu |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| SH8J66TB1 | Rohm Semiconductor | 4 711 | SH8J66TB1CT-ND | 11,96000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 9,37000 zł | 9,37 zł |
| 10 | 6,02900 zł | 60,29 zł |
| 100 | 4,11760 zł | 411,76 zł |
| 500 | 3,29952 zł | 1 649,76 zł |
| 1 000 | 3,03656 zł | 3 036,56 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 2 500 | 2,75205 zł | 6 880,12 zł |
| 5 000 | 2,57631 zł | 12 881,55 zł |
| 7 500 | 2,48683 zł | 18 651,22 zł |
| 12 500 | 2,47945 zł | 30 993,12 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 9,37000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 11,52510 zł |


