Name: SI4909DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4909DY-T1-GE3TR-ND
Price: 7.0725 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI4909DY-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI4909DY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4909DY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI4909DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI4909DY-T1-GE3
Opis	MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 40V 8A 3,2W Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI4909DY-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały P (podwójne)
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	8A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	27mOhm przy 8A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	63nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2000pF przy 20V
Moc - maks.	3,2W
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOIC
Bazowy numer produktu	SI4909