Name: SI4816BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4816BDY-T1-GE3TR-ND
Price: 11.1684 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI4816BDY-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI4816BDY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4816BDY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI4816BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI4816BDY-T1-GE3
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 5,8A, 8,2A 1W, 1,25W Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 18,5mOhm przy 6,8A, 10V
Producent Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Seria LITTLE FOOT®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 10nC przy 5V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Moc - maks. 1W, 1,25W
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Konfiguracja 2 kanały N (półmostek)	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V	Bazowy numer produktu SI4816
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 5,8A, 8,2A