Name: SI4816BDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4816BDY-T1-E3TR-ND
Price: 10.6641 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI4816BDY-T1-E3
Numer produktu DigiKey	SI4816BDY-T1-E3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4816BDY-T1-E3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI4816BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI4816BDY-T1-E3
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 5,8A, 8,2A 1W, 1,25W Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI4816BDY-T1-E3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Vishay Siliconix
Seria	LITTLE FOOT®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (półmostek)
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	5,8A, 8,2A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	18,5mOhm przy 6,8A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	10nC przy 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	-
Moc - maks.	1W, 1,25W
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOIC
Bazowy numer produktu	SI4816