Name: SI4532CDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4532CDY-T1-GE3TR-ND
Price: 5.0307 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI4532CDY-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI4532CDY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4532CDY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI4532CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI4532CDY-T1-GE3
Opis	MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 6A, 4,3A 2,78W Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI4532CDY-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Producent Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 9nC przy 10V
Seria TrenchFET®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 305pF przy 15V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Moc - maks. 2,78W
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Konfiguracja Kanał N i P	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6A, 4,3A	Bazowy numer produktu SI4532
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 47mOhm przy 3,5A, 10V