Name: SI4214DDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4214DDY-T1-GE3TR-ND
Price: 5.0307 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI4214DDY-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI4214DDY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4214DDY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI4214DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI4214DDY-T1-GE3
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 8,5A 3,1W Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI4214DDY-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 19,5mOhm przy 8A, 10V
Producent Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Seria TrenchFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 22nC przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 660pF przy 15V
Status części Aktywny	Moc - maks. 3,1W
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 8,5A	Bazowy numer produktu SI4214

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 19 420

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)