Name: SI4214DDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI4214DDY-T1-E3TR-ND
Price: 6.0762 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI4214DDY-T1-E3
Numer produktu DigiKey	742-SI4214DDY-T1-E3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SI4214DDY-T1-E3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SI4214DDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI4214DDY-T1-E3
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 8,5A 3,1W Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI4214DDY-T1-E3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	8,5A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	19,5mOhm przy 8A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	22nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	660pF przy 15V
Moc - maks.	3,1W
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOIC
Bazowy numer produktu	SI4214