
SI4202DY-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SI4202DY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4202DY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI4202DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SI4202DY-T1-GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 38 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 30V 12,1A 3,7W Montaż powierzchniowy 8-SOIC |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SI4202DY-T1-GE3 Modele |
Kategoria | Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 14mOhm przy 8A, 10V |
Producent Vishay Siliconix | Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA |
Seria | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 17nC przy 10V |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 710pF przy 15V |
Status części Aktywny | Moc - maks. 3,7W |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne) | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego | Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V | Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 12,1A | Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 7,43000 zł | 7,43 zł |
| 10 | 4,72500 zł | 47,25 zł |
| 100 | 3,18650 zł | 318,65 zł |
| 500 | 2,52648 zł | 1 263,24 zł |
| 1 000 | 2,31427 zł | 2 314,27 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 2 500 | 2,08459 zł | 5 211,47 zł |
| 5 000 | 1,94268 zł | 9 713,40 zł |
| 7 500 | 1,87042 zł | 14 028,15 zł |
| 12 500 | 1,79540 zł | 22 442,50 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 7,43000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 9,13890 zł |









