
SI4202DY-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SI4202DY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4202DY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI4202DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SI4202DY-T1-GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 49 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 30V 12,1A 3,7W Montaż powierzchniowy 8-SOIC |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SI4202DY-T1-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Vishay Siliconix | |
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | Bramka poziomu logicznego | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 12,1A | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 14mOhm przy 8A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,5V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 17nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 710pF przy 15V | |
Moc - maks. | 3,7W | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 8-SOIC | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 6,89000 zł | 6,89 zł |
| 10 | 4,39300 zł | 43,93 zł |
| 100 | 2,96180 zł | 296,18 zł |
| 500 | 2,34848 zł | 1 174,24 zł |
| 1 000 | 2,18570 zł | 2 185,70 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 2 500 | 1,93768 zł | 4 844,20 zł |
| 5 000 | 1,80579 zł | 9 028,95 zł |
| 7 500 | 1,78570 zł | 13 392,75 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 6,89000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 8,47470 zł |









