
SI4143DY-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SI4143DY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4143DY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) |
Producent | |
Numer produktu producenta | SI4143DY-T1-GE3 |
Opis | MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 24 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał P 30 V 25,3A (Tc) 6W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOIC |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SI4143DY-T1-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 4,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 6,2mOhm przy 12A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,5V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 167 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±25V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 6630 pF @ 15 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 6W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TA) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 8-SOIC | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 4,25000 zł | 4,25 zł |
| 10 | 2,67200 zł | 26,72 zł |
| 100 | 1,75570 zł | 175,57 zł |
| 500 | 1,36182 zł | 680,91 zł |
| 1 000 | 1,23496 zł | 1 234,96 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 2 500 | 1,09753 zł | 2 743,82 zł |
| 5 000 | 1,01260 zł | 5 063,00 zł |
| 7 500 | 0,96933 zł | 7 269,98 zł |
| 12 500 | 0,92071 zł | 11 508,88 zł |
| 17 500 | 0,90814 zł | 15 892,45 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 4,25000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 5,22750 zł |











