Name: SI3993CDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3993CDV-T1-GE3TR-ND
Price: 3.6162 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI3993CDV-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI3993CDV-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI3993CDV-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI3993CDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI3993CDV-T1-GE3
Opis	MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6TSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 2,9A 1,4W Montaż powierzchniowy 6-TSOP
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI3993CDV-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,2V przy 250µA
Producent Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 8nC przy 10V
Seria TrenchFET®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 210pF przy 15V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Moc - maks. 1,4W
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Konfiguracja 2 kanały P (podwójne)	Obudowa / skrzynia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V	Obudowa dostawcy urządzenia 6-TSOP
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2,9A	Bazowy numer produktu SI3993
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 111mOhm przy 2,5A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 7 739

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)