Name: SI3410DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3410DV-T1-GE3TR-ND
Price: 5.7441 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI3410DV-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI3410DV-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI3410DV-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI3410DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI3410DV-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 8A (Tc) 2W (Ta), 4,1W (Tc) Montaż powierzchniowy 6-TSOP
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI3410DV-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 33 nC @ 10 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1295 pF @ 15 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2W (Ta), 4,1W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Obudowa dostawcy urządzenia 6-TSOP
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 8A (Tc)	Obudowa / skrzynia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu SI3410
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 19,5mOhm przy 5A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 7 098

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)