Name: SI2399DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2399DS-T1-GE3TR-ND
Price: 3.6162 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI2399DS-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI2399DS-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI2399DS-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI2399DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI2399DS-T1-GE3
Opis	MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 6A (Tc) 2,5W (Tc) Montaż powierzchniowy SOT-23-3 (TO-236)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI2399DS-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,5V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 20 nC @ 4.5 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±12V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 835 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,5W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-23-3 (TO-236)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 2,5V, 10V	Bazowy numer produktu SI2399
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 34mOhm przy 5,1A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 18 414

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)