Name: SI1023CX-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1023CX-T1-GE3TR-ND
Price: 2.6076 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI1023CX-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI1023CX-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI1023CX-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI1023CX-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI1023CX-T1-GE3
Opis	MOSFET 2P-CH 20V SC89
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 220mW Montaż powierzchniowy SC-89 (SOT-563F)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI1023CX-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały P (podwójne)
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	-
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	756mOhm przy 350mA, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	2,5nC przy 4,5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	45pF przy 10V
Moc - maks.	220mW
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	SOT-563, SOT-666
Obudowa dostawcy urządzenia	SC-89 (SOT-563F)
Bazowy numer produktu	SI1023

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 42 185

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)