Name: SI1013CX-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1013CX-T1-GE3TR-ND
Price: 1.7589 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI1013CX-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI1013CX-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI1013CX-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI1013CX-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI1013CX-T1-GE3
Opis	MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 450mA (Ta) 190mW (Ta) Montaż powierzchniowy SC-89-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	450mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	760mOhm przy 400mA, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	2.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	45 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	190mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SC-89-3
Obudowa / skrzynia	SC-89, SOT-490
Bazowy numer produktu	SI1013

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 24 381

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)