IRFPF50 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Similar


Microchip Technology
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 99,08333 zł
Arkusz danych

Similar


Microchip Technology
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 15,36140 zł
Arkusz danych

Similar


Microchip Technology
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 13,20627 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 8,22993 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 31,58500 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 569
Cena jednostkowa : 33,27000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 37,17800 zł

Similar


IXYS
W magazynie: 270
Cena jednostkowa : 66,18000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 33,02533 zł

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 20,03300 zł

Similar


IXYS
W magazynie: 205
Cena jednostkowa : 82,39000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 37
Cena jednostkowa : 86,35000 zł
Arkusz danych
Kanał N 900 V 6,7A (Tc) 190W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AC
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRFPF50

Numer produktu DigiKey
IRFPF50-ND
Producent
Numer produktu producenta
IRFPF50
Opis
MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 900 V 6,7A (Tc) 190W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AC
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
IRFPF50 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
-
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
900 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
1,6Ohm przy 4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2900 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
190W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247AC
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Manufacturer Quote Required
This product requires a manufacturer-approved quote before it can be ordered. Orders must meet the manufacturer’s standard package quantity, may be subject to extended lead times, and cannot be canceled or returned. Quotes are typically processed within 3–5 business days after submission.
Zaloguj lub zarejestruj się, aby poprosić o wycenę