FQA9N90-F109 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

FQA9N90-F109
Rochester Electronics, LLC
W magazynie: 398
Cena jednostkowa : 7,18160 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 900 V 8,6A (Tc) 240W (Tc) Otwór przelotowy TO-3PN
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FQA9N90-F109

Numer produktu DigiKey
FQA9N90-F109-ND
Producent
onsemi
Numer produktu producenta
FQA9N90-F109
Opis
MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 900 V 8,6A (Tc) 240W (Tc) Otwór przelotowy TO-3PN
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
onsemi
Seria
QFET®
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
900 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
8,6A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
1,3Ohm przy 4,3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2700 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
240W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-3PN
Obudowa / skrzynia
TO-3P-3, SC-65-3
Bazowy numer produktu
FQA9
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.