Name: IRF530SPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF530SPBF-ND
Price: 11.0946 PLN
Availability: OutOfStock

IRF530SPBF
Numer produktu DigiKey	IRF530SPBF-ND
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	IRF530SPBF
Opis	MOSFET N-CH 100V 14A TO263
Standardowy czas realizacji przez producenta	33 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 14A (Tc) 3,7W (Ta), 88W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRF530SPBF Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	14A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	160mOhm przy 8,4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	670 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,7W (Ta), 88W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-263 (D2PAK)
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IRF530

Cena jednostkowa bez VAT:	9,02000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	11,09460 zł

IRF530SPBF