IRF520NSPBF Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IRF520NSPBF
Numer produktu DigiKey	IRF520NSPBF-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRF520NSPBF
Opis	MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 9,7A (Tc) 3,8W (Ta), 48W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRF520NSPBF Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Rurka
Status części	Produkt wycofany z oferty DigiKey
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	9,7A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	200mOhm przy 5,7A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	330 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,8W (Ta), 48W (Tc)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D2PAK
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB

IRF520NSPBF