Name: XPJR6604PB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPJR6604PBLXHQTR-ND
Price: 11.2176 PLN
Availability: InStock

Kanał N 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Montaż powierzchniowy S-TOGL™

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

XPJR6604PB,LXHQ
Numer produktu DigiKey	264-XPJR6604PBLXHQTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-XPJR6604PBLXHQCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-XPJR6604PBLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	XPJR6604PB,LXHQ
Opis	40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Montaż powierzchniowy S-TOGL™
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	XPJR6604PB,LXHQ Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 1mA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 128 nC @ 10 V
Seria U-MOSIX-H	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 11380 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 375W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 175°C
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 200A (Ta)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia S-TOGL™
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 0,66mOhm przy 100A, 10V	Obudowa / skrzynia 5-PowerSFN