Name: XPJ1R004PB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPJ1R004PBLXHQTR-ND
Price: 8.9175 PLN
Availability: InStock

Kanał N 40 V 160A (Ta) 223W (Tc) Montaż powierzchniowy S-TOGL™

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

XPJ1R004PB,LXHQ
Numer produktu DigiKey	264-XPJ1R004PBLXHQTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-XPJ1R004PBLXHQCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-XPJ1R004PBLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	XPJ1R004PB,LXHQ
Opis	40V; UMOS9; MOSFET 1MOHM; L-TOGL
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 160A (Ta) 223W (Tc) Montaż powierzchniowy S-TOGL™
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	XPJ1R004PB,LXHQ Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 84 nC @ 10 V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 6890 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 223W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 175°C
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 160A (Ta)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia S-TOGL™
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1mOhm przy 80A, 10V	Obudowa / skrzynia 5-PowerSFN
Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 500µA