Name: TPW2900ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW2900ENH,L1QTR-ND
Price: 17.3184 PLN
Availability: InStock

Kanał N 200 V 33A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-DSOP Advance

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TPW2900ENH,L1Q
Numer produktu DigiKey	264-TPW2900ENH,L1QTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-TPW2900ENH,L1QCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-TPW2900ENH,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TPW2900ENH,L1Q
Opis	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 33A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-DSOP Advance
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 29mOhm przy 16,5A, 10V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 1mA
Seria U-MOSVIII-H	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 22 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2200 pF @ 100 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 800mW (Ta), 142W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 150°C
Napięcie dren-źródło (Vdss) 200 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 33A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 8-DSOP Advance
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerVDFN