Name: TPH9R00CQH,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH9R00CQHLQTR-ND
Price: 12.2877 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TPH9R00CQH,LQ
Numer produktu DigiKey	264-TPH9R00CQHLQTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-TPH9R00CQHLQCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-TPH9R00CQHLQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TPH9R00CQH,LQ
Opis	UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Standardowy czas realizacji przez producenta	32 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 64A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOP Advance (5x5)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TPH9R00CQH,LQ Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	150 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	64A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	8V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	9mOhm przy 32A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,3V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	5400 pF @ 75 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	960mW (Ta), 210W (Tc)
Temperatura robocza	175°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOP Advance (5x5)
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN