Name: TPW1R005PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPW1R005PLL1QTR-ND
Price: 17.9211 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

TPW1R005PL,L1Q
Numer produktu DigiKey	TPW1R005PLL1QTR-ND - Taśma i szpula (TR) TPW1R005PLL1QCT-ND - Taśma cięta (CT) TPW1R005PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TPW1R005PL,L1Q
Opis	MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 45 V 300A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-DSOP Advance
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TPW1R005PL,L1Q Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	U-MOSIX-H
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	45 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	300A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,4V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	122 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	9600 pF @ 22.5 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura robocza	175°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-DSOP Advance
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	TPW1R005

Cena jednostkowa bez VAT:	14,57000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	17,92110 zł

TPW1R005PL,L1Q