Name: TPH3R008QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH3R008QMLQTR-ND
Price: 10.1106 PLN
Availability: OutOfStock

Kanał N 80 V 100A (Tc) 3W (Ta), 180W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOP Advance (5x5,75)

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TPH3R008QM,LQ
Numer produktu DigiKey	264-TPH3R008QMLQTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-TPH3R008QMLQCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-TPH3R008QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TPH3R008QM,LQ
Opis	80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM
Standardowy czas realizacji przez producenta	32 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 100A (Tc) 3W (Ta), 180W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOP Advance (5x5,75)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3mOhm przy 50A, 10V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,5V przy 900µA
Seria U-MOSX-H	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 71 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 7200 pF @ 40 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 3W (Ta), 180W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 175°C
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 100A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOP Advance (5x5,75)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN