Name: TPH2R608NH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH2R608NHL1QTR-ND
Price: 9.3234 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

TPH2R608NH,L1Q
Numer produktu DigiKey	TPH2R608NHL1QTR-ND - Taśma i szpula (TR) TPH2R608NHL1QCT-ND - Taśma cięta (CT) TPH2R608NHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TPH2R608NH,L1Q
Opis	MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 75 V 150A (Tc) 142W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOP Advance (5x5)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TPH2R608NH,L1Q Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	U-MOSVIII-H
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	75 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	150A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,6mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6000 pF @ 37.5 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	142W (Tc)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOP Advance (5x5)
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	TPH2R608

Cena jednostkowa bez VAT:	7,58000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	9,32340 zł

TPH2R608NH,L1Q