Name: TJ60S06M3L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ60S06M3LLXHQTR-ND
Price: 10.332 PLN
Availability: InStock

Kanał P 60 V 60A (Ta) 100W (Tc) Montaż powierzchniowy DPAK+

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TJ60S06M3L,LXHQ
Numer produktu DigiKey	264-TJ60S06M3LLXHQTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-TJ60S06M3LLXHQCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-TJ60S06M3LLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TJ60S06M3L,LXHQ
Opis	MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	32 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 60A (Ta) 100W (Tc) Montaż powierzchniowy DPAK+
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TJ60S06M3L,LXHQ Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 156 nC @ 10 V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (maks.) +10V, -20V
Seria U-MOSVI	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 7760 pF @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 100W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza 175°C
Typ FET Kanał P	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 60A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia DPAK+
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 11,2mOhm przy 30A, 10V	Bazowy numer produktu TJ60S06
Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 1mA