Name: TPH1R306P1,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH1R306P1L1QTR-ND
Price: 14.4525 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TPH1R306P1,L1Q
Numer produktu DigiKey	264-TPH1R306P1L1QTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-TPH1R306P1L1QCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-TPH1R306P1L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TPH1R306P1,L1Q
Opis	MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 100A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOP Advance (5x5)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TPH1R306P1,L1Q Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	U-MOSIX-H
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1.28mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	91 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	8100 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura robocza	175°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOP Advance (5x5)
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	TPH1R306