Name: TPH1R306P1,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH1R306P1L1QTR-ND
Price: 15.1536 PLN
Availability: InStock

Kanał N 60 V 100A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOP Advance (5x5)

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TPH1R306P1,L1Q
Numer produktu DigiKey	264-TPH1R306P1L1QTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-TPH1R306P1L1QCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-TPH1R306P1L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TPH1R306P1,L1Q
Opis	MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 100A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOP Advance (5x5)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TPH1R306P1,L1Q Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 1mA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 91 nC @ 10 V
Seria U-MOSIX-H	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 8100 pF @ 30 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 175°C
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOP Advance (5x5)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 100A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerVDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu TPH1R306
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1.28mOhm przy 50A, 10V