


TK7A65W,S5X | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | TK7A65WS5X-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | TK7A65W,S5X |
Opis | MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220SIS |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 6,8A (Ta) 30W (Tc) Otwór przelotowy TO-220SIS |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | TK7A65W,S5X Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 3,5V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 15 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±30V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 490 pF @ 300 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 30W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-220SIS |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 780mOhm przy 3,4A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTP4N70X2M | IXYS | 24 | 238-IXTP4N70X2M-ND | 18,28000 zł | Similar |
| STF9N60M2 | STMicroelectronics | 1 936 | 497-STF9N60M2-ND | 7,58000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 9,19000 zł | 9,19 zł |
| 50 | 4,49000 zł | 224,50 zł |
| 100 | 4,03180 zł | 403,18 zł |
| 500 | 3,22784 zł | 1 613,92 zł |
| 1 000 | 2,96948 zł | 2 969,48 zł |
| 2 000 | 2,75221 zł | 5 504,42 zł |
| 5 000 | 2,51722 zł | 12 586,10 zł |
| 10 000 | 2,41481 zł | 24 148,10 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 9,19000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 11,30370 zł |

