


TK6A60W,S4VX | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | TK6A60WS4VX-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | TK6A60W,S4VX |
Opis | MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 600 V 6,2A (Ta) 30W (Tc) Otwór przelotowy TO-220SIS |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | TK6A60W,S4VX Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 3,7V przy 310µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 12 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±30V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 390 pF @ 300 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 30W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-220SIS |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 750mOhm przy 3,1A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| IPAN65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | 14 | IPAN65R650CEXKSA1-ND | 6,00000 zł | Similar |
| IXTP4N70X2M | IXYS | 24 | 238-IXTP4N70X2M-ND | 18,28000 zł | Similar |
| STF9N60M2 | STMicroelectronics | 1 936 | 497-STF9N60M2-ND | 7,58000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 11,45000 zł | 11,45 zł |
| 50 | 5,69860 zł | 284,93 zł |
| 100 | 5,13810 zł | 513,81 zł |
| 500 | 4,15520 zł | 2 077,60 zł |
| 1 000 | 3,83939 zł | 3 839,39 zł |
| 2 000 | 3,57389 zł | 7 147,78 zł |
| 5 000 | 3,28679 zł | 16 433,95 zł |
| 10 000 | 3,26763 zł | 32 676,30 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 11,45000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 14,08350 zł |

