Name: TK62N60W5,S1VF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK62N60W5,S1VF-ND
Price: 66.9366 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TK62N60W5,S1VF
Numer produktu DigiKey	264-TK62N60W5,S1VF-ND
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TK62N60W5,S1VF
Opis	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 1,17A (Ta) 400W (Tc) Otwór przelotowy TO-247
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	DTMOSIV
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	1,17A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	45mOhm przy 30,9A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 3,1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	205 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6500 pF @ 300 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	400W (Tc)
Temperatura robocza	150°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247
Obudowa / skrzynia	TO-247-3

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 26

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	54,42000 zł	54,42 zł
30	33,41467 zł	1 002,44 zł
120	29,38983 zł	3 526,78 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.