Name: TK160F10N1L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK160F10N1LLQTR-ND
Price: 17.1954 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TK160F10N1L,LQ
Numer produktu DigiKey	264-TK160F10N1LLQTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-TK160F10N1LLQCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-TK160F10N1LLQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TK160F10N1L,LQ
Opis	MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-220SM(W)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TK160F10N1L,LQ Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	U-MOSVIII-H
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	160A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,4mOhm przy 80A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	122 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	10100 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	375W (Tc)
Temperatura robocza	175°C
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220SM(W)
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	TK160F10