Name: TK5P53D(T6RSS-Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK5P53D(T6RSS-Q)TR-ND
Price: 9.9015 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TK5P53D(T6RSS-Q)
Numer produktu DigiKey	264-TK5P53D(T6RSS-Q)TR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-TK5P53D(T6RSS-Q)CT-ND - Taśma cięta (CT) 264-TK5P53D(T6RSS-Q)DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TK5P53D(T6RSS-Q)
Opis	MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 525 V 5A (Ta) 80W (Tc) Montaż powierzchniowy D-PAK
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TK5P53D(T6RSS-Q) Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	525 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	5A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,5Ohm przy 2,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,4V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	540 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	80W (Tc)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D-PAK
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	TK5P53