
TK40E10N1,S1X | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | TK40E10N1S1X-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | TK40E10N1,S1X |
Opis | MOSFET N CH 100V 90A TO220 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 100 V 90A (Tc) 126W (Tc) Otwór przelotowy TO-220 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | TK40E10N1,S1X Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 500µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 49 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±20V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3000 pF @ 50 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 126W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-220 |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 8,2mOhm przy 20A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| PSMN8R7-80PS,127 | Nexperia USA Inc. | 8 | 1727-5898-ND | 49,41000 zł | Similar |
| SQP120N10-09_GE3 | Vishay Siliconix | 207 | SQP120N10-09_GE3-ND | 64,14000 zł | Similar |
| STP100N10F7 | STMicroelectronics | 1 189 | 497-13550-5-ND | 47,12000 zł | Similar |
| SUP85N10-10-E3 | Vishay Siliconix | 979 | SUP85N10-10-E3-ND | 82,46000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 12,32000 zł | 12,32 zł |
| 50 | 6,14740 zł | 307,37 zł |
| 100 | 5,54990 zł | 554,99 zł |
| 500 | 4,50280 zł | 2 251,40 zł |
| 1 000 | 4,16626 zł | 4 166,26 zł |
| 2 000 | 3,88343 zł | 7 766,86 zł |
| 5 000 | 3,59529 zł | 17 976,45 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 12,32000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 15,15360 zł |

