Name: TK3P80E,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK3P80E,RQTR-ND
Price: 9.3234 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TK3P80E,RQ
Numer produktu DigiKey	264-TK3P80E,RQTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-TK3P80E,RQCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-TK3P80E,RQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TK3P80E,RQ
Opis	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 800 V 3A (Ta) 80W (Tc) Montaż powierzchniowy D-PAK
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 300µA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 12 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±30V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 500 pF @ 25 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 80W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 150°C
Napięcie dren-źródło (Vdss) 800 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 3A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia D-PAK
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 4,9Ohm przy 1,5A, 10V