Name: TK3P80E,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK3P80E,RQTR-ND
Price: 8.9175 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TK3P80E,RQ
Numer produktu DigiKey	264-TK3P80E,RQTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-TK3P80E,RQCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-TK3P80E,RQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TK3P80E,RQ
Opis	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 800 V 3A (Ta) 80W (Tc) Montaż powierzchniowy D-PAK
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	800 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4,9Ohm przy 1,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 300µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	500 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	80W (Tc)
Temperatura robocza	150°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D-PAK
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63