Name: TK25S06N1L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK25S06N1L,LQTR-ND
Price: 6.5682 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TK25S06N1L,LQ
Numer produktu DigiKey	264-TK25S06N1L,LQTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-TK25S06N1L,LQCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-TK25S06N1L,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TK25S06N1L,LQ
Opis	MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 25A (Ta) 57W (Tc) Montaż powierzchniowy DPAK+
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TK25S06N1L,LQ Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	U-MOSVIII-H
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	25A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	18,5mOhm przy 12,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	855 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	57W (Tc)
Temperatura robocza	175°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	DPAK+
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	TK25S06