Name: TJ8S06M3L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ8S06M3LLXHQTR-ND
Price: 6.027 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TJ8S06M3L,LXHQ
Numer produktu DigiKey	264-TJ8S06M3LLXHQTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-TJ8S06M3LLXHQCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-TJ8S06M3LLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TJ8S06M3L,LXHQ
Opis	MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	32 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 8A (Ta) 27W (Tc) Montaż powierzchniowy DPAK+
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TJ8S06M3L,LXHQ Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	U-MOSVI
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	8A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	104mOhm przy 4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+10V, -20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	890 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	27W (Tc)
Temperatura robocza	175°C
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	DPAK+
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	TJ8S06