Name: TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ60S04M3L(T6L1,NQTR-ND
Price: 8.7822 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Numer produktu DigiKey	264-TJ60S04M3L(T6L1,NQTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-TJ60S04M3L(T6L1,NQCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-TJ60S04M3L(T6L1,NQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Opis	MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 40 V 60A (Ta) 90W (Tc) Montaż powierzchniowy DPAK+
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TJ60S04M3L(T6L1,NQ Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	U-MOSVI
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	60A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	6,3mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	125 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+10V, -20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6510 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	90W (Tc)
Temperatura robocza	175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	DPAK+
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	TJ60S04