Name: TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ30S06M3L(T6L1NQTR-ND
Price: 10.7379 PLN
Availability: InStock

Kanał P 60 V 30A (Ta) 68W (Tc) Montaż powierzchniowy DPAK+

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Numer produktu DigiKey	264-TJ30S06M3L(T6L1NQTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-TJ30S06M3L(T6L1NQCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-TJ30S06M3L(T6L1NQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Opis	MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 30A (Ta) 68W (Tc) Montaż powierzchniowy DPAK+
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TJ30S06M3L(T6L1,NQ Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 1mA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 80 nC @ 10 V
Seria U-MOSVI	Vgs (maks.) +10V, -20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3950 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 68W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Obudowa dostawcy urządzenia DPAK+
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 30A (Ta)	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Bazowy numer produktu TJ30S06
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 21,8mOhm przy 15A, 10V