
SSM6N815R,LF | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SSM6N815RLFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM6N815RLFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM6N815RLFDKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SSM6N815R,LF |
Opis | MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 20 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 100V 2A (Ta) 1,8W (Ta) Montaż powierzchniowy 6-TSOP-F |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SSM6N815R,LF Modele |
Kategoria | Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 103mOhm przy 2A, 10V |
Producent Toshiba Semiconductor and Storage | Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 100µA |
Seria | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 3,1nC przy 4,5V |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 290pF przy 15V |
Status części Aktywny | Moc - maks. 1,8W (Ta) |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Temperatura robocza 150°C |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne) | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego, sterowanie 4V | Obudowa / skrzynia 6-SMD, odprowadzenia płaskie |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100V | Obudowa dostawcy urządzenia 6-TSOP-F |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2A (Ta) | Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 2,69000 zł | 2,69 zł |
| 10 | 1,65900 zł | 16,59 zł |
| 100 | 1,06610 zł | 106,61 zł |
| 500 | 0,80986 zł | 404,93 zł |
| 1 000 | 0,72721 zł | 727,21 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,62208 zł | 1 866,24 zł |
| 6 000 | 0,56912 zł | 3 414,72 zł |
| 9 000 | 0,54213 zł | 4 879,17 zł |
| 15 000 | 0,51181 zł | 7 677,15 zł |
| 21 000 | 0,49384 zł | 10 370,64 zł |
| 30 000 | 0,47639 zł | 14 291,70 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 2,69000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 3,30870 zł |

