Name: SSM6N58NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N58NULFTR-ND
Price: 2.6568 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM6N58NU,LF
Numer produktu DigiKey	SSM6N58NULFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM6N58NULFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM6N58NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM6N58NU,LF
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 4A 1W Montaż powierzchniowy 6-UDFN (2x2)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM6N58NU,LF Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,8V
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	84mOhm przy 2A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	1,8nC przy 4,5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	129pF przy 15V
Moc - maks.	1W
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	6-WDFN podkładka odsłonięta
Obudowa dostawcy urządzenia	6-UDFN (2x2)
Bazowy numer produktu	SSM6N58

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 105 540

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)