
SSM6N58NU,LF | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SSM6N58NULFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM6N58NULFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM6N58NULFDKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SSM6N58NU,LF |
Opis | MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 12 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 30V 4A 1W Montaż powierzchniowy 6-UDFN (2x2) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SSM6N58NU,LF Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 1mA |
Producent Toshiba Semiconductor and Storage | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 1,8nC przy 4,5V |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 129pF przy 15V |
Status części Aktywny | Moc - maks. 1W |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Temperatura robocza 150°C (TJ) |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne) | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,8V | Obudowa / skrzynia 6-WDFN podkładka odsłonięta |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V | Obudowa dostawcy urządzenia 6-UDFN (2x2) |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 4A | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 84mOhm przy 2A, 4,5V |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 2,26000 zł | 2,26 zł |
| 10 | 1,39000 zł | 13,90 zł |
| 100 | 0,88690 zł | 88,69 zł |
| 500 | 0,66932 zł | 334,66 zł |
| 1 000 | 0,59905 zł | 599,05 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,50970 zł | 1 529,10 zł |
| 6 000 | 0,46467 zł | 2 788,02 zł |
| 9 000 | 0,44172 zł | 3 975,48 zł |
| 15 000 | 0,41592 zł | 6 238,80 zł |
| 21 000 | 0,40065 zł | 8 413,65 zł |
| 30 000 | 0,38580 zł | 11 574,00 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 2,26000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 2,77980 zł |










