Name: SSM6N43FU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N43FULFTR-ND
Price: 1.7712 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM6N43FU,LF
Numer produktu DigiKey	SSM6N43FULFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM6N43FULFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM6N43FULFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM6N43FU,LF
Opis	MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 500mA 200mW Montaż powierzchniowy US6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM6N43FU,LF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 1mA
Producent Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 1,23nC przy 4V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 46pF przy 10V
Status części Aktywny	Moc - maks. 200mW
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,5V	Obudowa / skrzynia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V	Obudowa dostawcy urządzenia US6
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 500mA	Bazowy numer produktu SSM6N43
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 630mOhm przy 200mA, 5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 591

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)