Name: SSM6L40TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6L40TULFTR-ND
Price: 2.7429 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM6L40TU,LF
Numer produktu DigiKey	SSM6L40TULFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM6L40TULFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM6L40TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM6L40TU,LF
Opis	MOSFET N/P-CH 30V 1.6A UF6
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 1.6A (Ta), 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Montaż powierzchniowy UF6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM6L40TU,LF Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	Kanał N i P
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego, sterowanie 4V
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	1.6A (Ta), 1.4A (Ta)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	122mOhm przy 1A, 10V, 226mOhm przy 1A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2.6V przy 1mA, 2V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	5,1nC przy 10V, 2,9nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	180pF przy 15V, 120pF przy 15V
Moc - maks.	500mW (Ta)
Temperatura robocza	150°C
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	6-SMD, odprowadzenia płaskie
Obudowa dostawcy urządzenia	UF6
Bazowy numer produktu	SSM6L40