SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

SSM6K211FE,LF jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

Toshiba Semiconductor and Storage

W magazynie: 3 000

Cena jednostkowa : 0,48780 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM6K211FE,LF
Numer produktu DigiKey	SSM6K211FELFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM6K211FELFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM6K211FELFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM6K211FE,LF
Opis	MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 3,2A (Ta) 500mW (Ta) Montaż powierzchniowy ES6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM6K211FE,LF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 1mA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 10.8 nC @ 4.5 V
Seria U-MOSIII	Vgs (maks.) ±10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 510 pF @ 10 V
Status części Nieaktualne	Straty mocy (maks.) 500mW (Ta)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa dostawcy urządzenia ES6
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 3,2A (Ta)	Obudowa / skrzynia SOT-563, SOT-666
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,5V, 4,5V	Bazowy numer produktu SSM6K211
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 47mOhm przy 2A, 4,5V