SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage | Półprzewodniki dyskretne

SSM6K211FE,LF jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

Toshiba Semiconductor and Storage

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 0,00000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM6K211FE,LF
Numer produktu DigiKey	SSM6K211FELFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM6K211FELFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM6K211FELFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM6K211FE,LF
Opis	MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 3,2A (Ta) 500mW (Ta) Montaż powierzchniowy ES6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM6K211FE,LF Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	U-MOSIII
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3,2A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	47mOhm przy 2A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	10.8 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	510 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	500mW (Ta)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	ES6
Obudowa / skrzynia	SOT-563, SOT-666
Bazowy numer produktu	SSM6K211