SSM3K121TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM3K121TU,LF
Numer produktu DigiKey	264-SSM3K121TULFTR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM3K121TU,LF
Opis	MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 3,2A (Ta) 500mW (Ta) Montaż powierzchniowy UFM
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3,2A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,5V, 4V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	48mOhm przy 2A, 4V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	5.9 nC @ 4 V
Vgs (maks.)	±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	400 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	500mW (Ta)
Temperatura robocza	150°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	UFM
Obudowa / skrzynia	3-SMD, odprowadzenia płaskie

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Manufacturer Quote Required

This product requires a manufacturer-approved quote before it can be ordered. Orders must meet the manufacturer’s standard package quantity, may be subject to extended lead times, and cannot be canceled or returned. Quotes are typically processed within 3–5 business days after submission.

Zaloguj lub zarejestruj się, aby poprosić o wycenę