Name: SSM6J507NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J507NULFTR-ND
Price: 3.3579 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM6J507NU,LF
Numer produktu DigiKey	SSM6J507NULFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM6J507NULFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM6J507NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM6J507NU,LF
Opis	MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 10A (Ta) 1,25W (Ta) Montaż powierzchniowy 6-UDFNB (2x2)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM6J507NU,LF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,2V przy 250µA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 20.4 nC @ 4.5 V
Seria U-MOSVI	Vgs (maks.) +20V, -25V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1150 pF @ 15 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1,25W (Ta)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Obudowa dostawcy urządzenia 6-UDFNB (2x2)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 10A (Ta)	Obudowa / skrzynia 6-WDFN podkładka odsłonięta
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4V, 10V	Bazowy numer produktu SSM6J507
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 20mOhm przy 4A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 2 304

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)