Name: SSM6J501NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J501NULFTR-ND
Price: 2.9151 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM6J501NU,LF
Numer produktu DigiKey	SSM6J501NULFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM6J501NULFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM6J501NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM6J501NU,LF
Opis	MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 10A (Ta) 1W (Ta) Montaż powierzchniowy 6-UDFNB (2x2)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM6J501NU,LF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 1mA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 29.9 nC @ 4.5 V
Seria U-MOSVI	Vgs (maks.) ±8V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2600 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1W (Ta)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa dostawcy urządzenia 6-UDFNB (2x2)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 10A (Ta)	Obudowa / skrzynia 6-WDFN podkładka odsłonięta
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,5V, 4,5V	Bazowy numer produktu SSM6J501
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 15,3mOhm przy 4A, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 158 994

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)