Name: SSM6J422TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J422TULFTR-ND
Price: 2.2509 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM6J422TU,LF
Numer produktu DigiKey	SSM6J422TULFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM6J422TULFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM6J422TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM6J422TU,LF
Opis	MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 4A (Ta) 1W (Ta) Montaż powierzchniowy UF6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM6J422TU,LF Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	U-MOSVI
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	42.7mOhm przy 3A, 4.5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	12.8 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	+6V, -8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	840 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1W (Ta)
Temperatura robocza	150°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	UF6
Obudowa / skrzynia	6-SMD, odprowadzenia płaskie
Bazowy numer produktu	SSM6J422

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 1 996

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)