Name: SSM6H19NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6H19NULFTR-ND
Price: 2.3862 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM6H19NU,LF
Numer produktu DigiKey	SSM6H19NULFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM6H19NULFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM6H19NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM6H19NU,LF
Opis	MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 2A (Ta) 1W (Ta) Montaż powierzchniowy 6-UDFN (2x2)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM6H19NU,LF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,2V przy 1mA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 2.2 nC @ 4.2 V
Seria U-MOSVII-H	Vgs (maks.) ±12V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 130 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1W (Ta)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Obudowa dostawcy urządzenia 6-UDFN (2x2)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2A (Ta)	Obudowa / skrzynia 6-UDFN podkładka odsłonięta
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,8V, 8V	Bazowy numer produktu SSM6H19
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 185mOhm przy 1A, 8V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 2 820

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)