Name: SSM3K376R,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3K376RLXHFTR-ND
Price: 2.4723 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM3K376R,LXHF
Numer produktu DigiKey	264-SSM3K376RLXHFTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-SSM3K376RLXHFCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-SSM3K376RLXHFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM3K376R,LXHF
Opis	SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 4A (Ta) 1W (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23F
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 2.2 nC @ 4.5 V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (maks.) +12V, -8V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 200 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1W (Ta)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 150°C
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 4A (Ta)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,8V, 4,5V	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-23F
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 56mOhm przy 2A, 4,5V	Obudowa / skrzynia SOT-23-3, płaskie odprowadzenia
Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 1mA

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 5 330

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)