Name: SSM3K376R,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3K376RLXHFTR-ND
Price: 2.337 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM3K376R,LXHF
Numer produktu DigiKey	264-SSM3K376RLXHFTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-SSM3K376RLXHFCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-SSM3K376RLXHFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM3K376R,LXHF
Opis	SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 4A (Ta) 1W (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23F
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,8V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	56mOhm przy 2A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	2.2 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	+12V, -8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	200 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1W (Ta)
Temperatura robocza	150°C
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23F
Obudowa / skrzynia	SOT-23-3, płaskie odprowadzenia

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

W magazynie: 7 742

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)