Name: SSM3K341TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K341TULFTR-ND
Price: 3.3579 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

SSM3K341TU,LF
Numer produktu DigiKey	SSM3K341TULFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM3K341TULFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM3K341TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM3K341TU,LF
Opis	MOSFET N-CH 60V 6A UFM
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 6A (Ta) 1,8W (Ta) Montaż powierzchniowy UFM
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM3K341TU,LF Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	U-MOSVIII-H
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	6A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	36mOhm przy 4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	9.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	550 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,8W (Ta)
Temperatura robocza	175°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	UFM
Obudowa / skrzynia	3-SMD, odprowadzenia płaskie
Bazowy numer produktu	SSM3K341

Cena jednostkowa bez VAT:	2,73000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	3,35790 zł

SSM3K341TU,LF